Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M. Nikols"'
Autor:
M. Patel, Laurence P. Sadwick, D. Brehmer, S.J. Allen, K. McCormick, M. Nikols, R.W. Gedridge, Jeffrey E. Shield, R. J. Hwu, D.C. Streit, P. P. Lee
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 164:285-290
We report the first known study of the growth of epitaxial dysprosium phosphide (DyP) grown on gallium arsenide (GaAs). DyP is lattice matched to GaAs, with the room-temperature mismatch being less than 0.01%. We have grown DyP on GaAs by gas-source
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5500f51966f3e5cb483025e0bbe11a8
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)01017-3
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)01017-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.