Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M. Naujok"'
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :275-278
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e0f4471c28b98c9d0808b92bbc6d8ee2
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.65-66.275
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.65-66.275
Autor:
I. Yang, F. Zhang, A. Tilke, P. Wrschka, Y.-H. Lin, J. Lian, P. Nguyen, V. Ramanchandran, Gregory M. Johnson, L.S. Leong, Atul C. Ajmera, A. Ebert, S.O. Kim, H. Zhuang, M.-C. Sun, J.-P. Kim, Andy Cowley, Christopher V. Baiocco, J.-H. Ku, W. Lin, J. Greg Massey, Alvin G. Thomas, M. Naujok, A. Vayshenker, G. Leake, A. Fischer, M. Sherony, E. Kaltalioglu, K. Hooper, Dirk Vietzke, C. Griffin, Y.-W. Teh, W. Gao, J. Sudijohno, Manfred Eller, Randy W. Mann, G. Matusiewicz, Y.K. Siew, T. Schiml, Renee T. Mo, S.-M. Choi, R. Knoefler, W.L. Tan, J. Benedict, T. Pompl, J.-H. Yang, F.F. Jamin, Fernando Guarin, K.C. Park, K.-W. Lee, An L. Steegen, Jae-Eun Park, S. Scheer, V. Klee, D.H. Hong, L. Tai, V. Ku, S.L. Liew
Publikováno v:
IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest..
This paper presents a 65nm low power technology offering a dual gate oxide process, multiple Vt devices at a nominal operating voltage of 1.2V, a nine level hierarchical Cu interconnect back-end of line process with low k dielectrics and 0.676mum2 an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::80b515e6807384d732a1a136ebc7ef9d
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609267
https://doi.org/10.1109/iedm.2005.1609267
Autor:
Feng Q. Liu, Stan D. Tsai, W. Lu, Liang-Yuh Chen, M. Naujok, Antoine P. Manens, J. Salfelder, X. Sakamoto, X. Wang, R. Knarr, Alain Duboust, Y. Moon, L. Economikos, P. Ong, S. Shrauti, Siew Neo, W. Swart
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2004 International Interconnect Technology Conference (IEEE Cat. No.04TH8729).
A novel copper (Cu) planarization process, Ecmp, integrating electro-chemical mechanical polishing capability on a 300mm CMP platform with low down force conventional polishing processes is being developed and evaluated on low-k CVD devices. In the i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::72f5a4b567503385ffc8685bd55512b1
https://doi.org/10.1109/iitc.2004.1345759
https://doi.org/10.1109/iitc.2004.1345759
Autor:
D. Hunt, B.C. Zhang, J. Li, K. Inoue, John M. Aitken, M. Hoinkis, James J. Demarest, Kaushik Chanda, K. Ida, T. Bolom, S. Lane, Jason Gill, M. Shinosky, Y. Ishikawa, S. Boettcher, Y. Lin, M. Fukasawa, L. Economikos, Timothy D. Sullivan, Kaushik A. Kumar, Derren N. Dunn, D. McHerron, J. Smith, Matthew Angyal, P. Ong, M. Naujok, T. Ema, A. Sakamoto, R. Kontra, G. Lembach, H. Maynard, K. Urata, M. Inohara, F. Chen
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
With wide application of low-k dielectric materials in multilevel VLSI circuits, the long-term reliability of such materials is rapidly becoming one of the most critical challenges for technology development. Among all the reliability issues, low-k t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::78fe3fd061eb5d1700e34e92ed5bd0cb
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-28744438409&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-28744438409&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.