Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"M. Nasuno"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crohn's and Colitis. 13:S422-S423
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Tanuma, Akiko Shiotani, M. Ishii, Masanori Nojima, R. Suzuki, Satoshi Motoya, M. Miyakawa, R. Sakemi, M. Nasuno, F. Itoh, Hiroshi Nakase, M. Yamashita, S. So, H. Kaneto, Hiroki Tanaka, H. Yanagisawa, Kei Onodera
Publikováno v:
Journal of Crohn's and Colitis. 11:S420-S421
Autor:
K Sugiyama, Hiroki Tanaka, M. Miyakawa, Tomoya Iida, Kei Onodera, M. Nasuno, Satoshi Motoya, Hiroshi Nakase
Publikováno v:
Journal of Crohn's and Colitis. 11:S367-S368
Publikováno v:
Journal of Crohn's and Colitis. 12:S314-S314
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nobuo Ohtsuka, Saburo Takamiya, Kouichi Iiyama, Koichi Higashimine, Y. Ohta, Y. Kita, M. Nasuno
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 49:1856-1862
金沢大学工学部
A gate insulating layer with single nm-order thickness for suppressing gate leakage current is one of the key factors in extending downsizing limits, based upon the scaling rule, of field-effect-type transistors. We describ
A gate insulating layer with single nm-order thickness for suppressing gate leakage current is one of the key factors in extending downsizing limits, based upon the scaling rule, of field-effect-type transistors. We describ