Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"M. Minamide"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Bone and Joint Surgery. British volume. :861-864
We examined an39 patients (45 knees) who had undergone Elmslie-Trillat procedure for recurrent or habitual dislocation of the patella with a follow-up of more than ten years. The mean age at the time of surgery was 18.4 years; the mean follow-up was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4b33f3470d592098bc525a9b79c5f994
https://doi.org/10.1302/0301-620x.84b6.0840861
https://doi.org/10.1302/0301-620x.84b6.0840861
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 25:1362-1365
Growth characteristics of (100) Cd1−xZnxTe (CZT) have been studied using metalorganic vapor phase epitaxy. CZT layers were grown on (100) GaAs substrates using diisopropylzinc (DiPZn), dimethylcadmiun (DMCd), and diethyltelluride (DETe) as precurso
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8b3c61cea280916a3123023aa8d1629a
https://doi.org/10.1007/bf02655034
https://doi.org/10.1007/bf02655034
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 159:121-125
Growth characteristics of (100) Cd 1 − x Zn x Te (CZT) have been studied in MOVPE. CZT layers were grown on (100) GaAs substrates using diisopropylzinc (DiPZn), dimethylcadmium (DMCd) and diethyltelluride (DETe) as precursors. Growths were carried
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7ce50e3eae904963a7d4c2523a63786
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00638-9
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00638-9
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 24:1093-1097
Growth characteristics of (100) HgCdTe (MCT) layers by MOVPE at low temperature of 275°C were studied using ditertiarybutyltelluride as a tellurium precursor. Growths were conducted in a vertical narrow-spacing growth cell at atmospheric pressure. C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5cb8d8255f8d721ee4025576195b11b1
https://doi.org/10.1007/bf02653058
https://doi.org/10.1007/bf02653058
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.