Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"M. Manassian"'
Autor:
Al F. Tasch, M. Manassian, Christine M. Maziar, Haihong Wang, G. Chindalore, S. Jallepalli, S.A. Hareland, W.-K. Shih
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 45:1487-1493
In this paper, models appropriate for device simulators are developed which account for the quantum mechanical nature of accumulated regions. Accumulation layer quantization is important in deep submicron (/spl les/0.25 /spl mu/m) MOS devices in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d71e30bd40b45e2976fd878561352116
https://doi.org/10.1109/16.701479
https://doi.org/10.1109/16.701479
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 8:408-413
This paper presents a computationally efficient and accurate depth profile model for boron implants through a thin (0-50 nm) oxide layer into single-crystal silicon. This is the first reported model with explicit dependence on all of the key implant
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11c23fc27eea8938ccace0a07ed2719c
https://doi.org/10.1109/66.475182
https://doi.org/10.1109/66.475182
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.