Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"M. Manassian"'
Autor:
Al F. Tasch, M. Manassian, Christine M. Maziar, Haihong Wang, G. Chindalore, S. Jallepalli, S.A. Hareland, W.-K. Shih
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 45:1487-1493
In this paper, models appropriate for device simulators are developed which account for the quantum mechanical nature of accumulated regions. Accumulation layer quantization is important in deep submicron (/spl les/0.25 /spl mu/m) MOS devices in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d71e30bd40b45e2976fd878561352116
https://doi.org/10.1109/16.701479
https://doi.org/10.1109/16.701479
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 8:408-413
This paper presents a computationally efficient and accurate depth profile model for boron implants through a thin (0-50 nm) oxide layer into single-crystal silicon. This is the first reported model with explicit dependence on all of the key implant
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::11c23fc27eea8938ccace0a07ed2719c
https://doi.org/10.1109/66.475182
https://doi.org/10.1109/66.475182
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. Dec2017, Vol. 51 Issue 12, p1625-1633. 9p.
Autor:
Srikantaiah, Jayadeva Gowrapura1 jayadevags@yahoo.com, DasGupta, Amitava2 adg@ee.iitm.ac.in
Publikováno v:
IETE Technical Review. Jan/Feb2012, Vol. 29 Issue 1, p3-28. 26p. 1 Diagram, 28 Graphs.
Publikováno v:
European Physical Journal B: Condensed Matter. Dec2009, Vol. 72 Issue 3, p323-359. 37p. 16 Diagrams, 4 Charts, 20 Graphs.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/1/2007, Vol. 101 Issue 9, p094507, 7p, 6 Diagrams, 2 Charts, 7 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 10/15/2002, Vol. 92 Issue 8, p4449, 10p, 2 Diagrams, 2 Charts, 7 Graphs
Autor:
Chason, E., Picraux, S. T., Poate, J. M., Borland, J. O., Current, M. I., Diaz de la Rubia, T., Eaglesham, D. J., Holland, O. W., Law, M. E., Magee, C. W., Mayer, J. W., Melngailis, J., Tasch, A. F.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/15/1997, Vol. 81 Issue 10, p6513, 49p