Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"M. Maldei"'
Autor:
Hang-Yip Liu, D. Dobuzinsky, J. Gambino, J. Faltermeier, Thomas S. Rupp, V.Y. Sardesai, M. Maldei
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 15:223-228
This paper describes improvements in the self-aligned contact process for 0.150 /spl mu/m and 0.175 /spl mu/m technology generations. Using a dynamic random access memory cell layout, we show that self-aligned contacts can be formed at 0.175 /spl mu/
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ab750284bc9a907b138d506403fedf3
https://doi.org/10.1109/66.999596
https://doi.org/10.1109/66.999596
Autor:
T. Rupp, N. Chaudhary, K. Dev, Y. Fukuzaki, J. Gambino, H. Ho, J. Iba, E. Ito, E. Kiewra, B. Kim, M. Maldei, T. Matsunaga, J. Ning, R. Rengarajan, A. Sudo, Y. Takagawa, D. Tobben, M. Weybright, G.K. Worth, R. Divakaruni, R. Srinivasan, J. Alsmeier, G. Bronner
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
This report describes improvements in the trench DRAM technology for 0.15 /spl mu/m groundrule and beyond. The optimum cell layout is 8F/sup 2/ with a cell area of only 0.18 /spl mu/m/sup 2/ for a 0.15 /spl mu/m groundrule. High node capacitance and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed00c229eb73a4da1dfeb395b2a184e6
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823840
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823840
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.