Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"M. Lepsa"'
Autor:
D Fricker, P Atkinson, X Jin, M Lepsa, Z Zeng, A Kovács, L Kibkalo, RE Dunin-Borkowski, BE Kardynał
Publikováno v:
Nanotechnology 34(14), 145601 (2023). doi:10.1088/1361-6528/acabd1
Nanotechnology 34(14), 145601 (2023). doi:10.1088/1361-6528/acabd1
Published by IOP Publ., Bristol
Published by IOP Publ., Bristol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2129e14424c9da74584cbcbefb749d85
Autor:
L. R. Schreiber, C. Schwark, G. Güntherodt, M. Lepsa, C. Adelmann, C. J. Palmstrøm, X. Lou, P. A. Crowell, B. Beschoten
Publikováno v:
Physical review / B 104(19), 195202 (2021). doi:10.1103/PhysRevB.104.195202
The precise control of spins in semiconductor spintronic devices requires electrical means for generating spin packets with a well-defined initial phase. We demonstrate a pulsed electrical scheme that triggers the spin ensemble phase in a similar way
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d664d69f8068780fcb3e36fc12763964
https://doi.org/10.1103/physrevb.104.195202
https://doi.org/10.1103/physrevb.104.195202
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors. 46:641-646
A convenient and fast method for measuring Young’s modulus of semiconductor nanowires obliquely standing on the growth substrate is presented. In this method, the nanowire is elastically bent under the force exerted by the probe of an atomic-force
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce6e230f2acc44e766354e022fa12203
https://doi.org/10.1134/s106378261205003x
https://doi.org/10.1134/s106378261205003x
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 21:146-148
A novel type of metal-semiconductor-metal (MSM) photomixers (PMs) with an improvement of output power and frequency bandwidth was fabricated and tested. The device active area with interdigitated MSM structure is divided into two smaller ones connect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cbd64291cff2537e98cd94da20ff7538
https://doi.org/10.1109/lpt.2008.2008202
https://doi.org/10.1109/lpt.2008.2008202
Autor:
D. Grützmacher, Th. Schäpers, S. Mantl, S. Feste, Q. T. Zhao, H. Hardtdegen, R. Calarco, M. Lepsa, N. Demarina
Publikováno v:
Future Trends in Microelectronics: From Nanophotonics to Sensors and Energy
This chapter contains sections titled: Introduction Silicon nanowires InN nanowires InAs nanowires Conclusion
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d724130af84f3247a365255fb869b57f
https://doi.org/10.1002/9780470649343.ch13
https://doi.org/10.1002/9780470649343.ch13
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ernest A. Michael, Hans Lüth, M. Lepsa, A. Dewald, Martin Mikulics, Michel Marso, S. Stanček, Peter Kordos, M. Mozolik, A. van der Hart
Publikováno v:
Applied physics letters 89, 071103 (2006). doi:10.1063/1.2337523
The authors report on fabrication and measurement of traveling-wave photomixers based on high energy and low dose nitrogen-ion-implanted GaAs. They used 3 MeV energy to implant N+ ions into GaAs substrates with an ion concentration dose of 3x10(12) c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8bcfe83c769ba4af28aceb79f889412d
https://hdl.handle.net/2128/17384
https://hdl.handle.net/2128/17384
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.