Zobrazeno 1 - 10
of 69
pro vyhledávání: '"M. Laviron"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1975 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
The development of a high-power GaAs FET using an interdigitated structure produced by ionic etching on a NP+ epitaxial wafer will be discussed, citing its power output (1W), efficiency (35%) and gain (6 dB) achieved at 6 GHz.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a3948e447320591959f0d1df46cf4abc
https://doi.org/10.1109/isscc.1975.1155419
https://doi.org/10.1109/isscc.1975.1155419
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Review B. 32:8126-8135
Recent theoretical and experimental interest has focused on the issue of the dominant scattering mechanism which limits the mobility of the two-dimensional electron gas formed at the molecular-beam-epitaxy (MBE) interface of an AlGaAs/GaAs heterojunc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3ebd4251771b265b694be326a7250d59
https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8126
https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8126
Autor:
P. Delescluse, P.R. Jay, J.F. Rochette, D. Delagebeaudeuf, M. Laviron, Nuyen T. Linh, J. Chevrier
Publikováno v:
Physica B+C. 129:376-379
Microwave characteristics of two dimensional electron gas field effect transistors (TEGFETS) have been evaluated for low noise applications. At 17.5 GHz, a noise figure of 1.4 dB with an associated gain of 9 dB and a maximum available gain of 11.5 dB
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::efd5f4b7336a93a83521c10b093f9583
https://doi.org/10.1016/0378-4363(85)90605-9
https://doi.org/10.1016/0378-4363(85)90605-9
Autor:
Franck Omnes, J. C. Portal, P. Maurel, M Laviron, Manijeh Razeghi, L Dmowski, R Blondel, S Ben Amor, D Gauthier
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 1:105-109
The authors report the first experiment under hydrostatic pressure for the GaInAs/InP heterojunction with three electric sub-bands populated. The total population decreases from 6.04*1011 cm-2 to 5.09*1011 cm-2 (16%) for pressures up to 15 kbar. Alth
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f92d6efbd0735c31528200b081494611
https://doi.org/10.1088/0268-1242/1/2/001
https://doi.org/10.1088/0268-1242/1/2/001
Publikováno v:
Journal de Physique Lettres. 44:1021-1026
We have measured the thermal behaviour of the resistance of three GaAs wires (thickness: 0.32 μm, widths: 0.8; 2.4 and 5.4 μm; lengths: 400, 400 and 200 μm) produced by lithographic techniques. We observe a cross-over between a one-dimensional reg
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43229ff12ba0ab818c642c73345a8a9a
https://doi.org/10.1051/jphyslet:0198300440240102100
https://doi.org/10.1051/jphyslet:0198300440240102100