Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"M. Latkowska"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Vincze, Damian Radziewicz, Damian Pucicki, Beata Ściana, Marek Tłaczała, M. Latkowska-Baranowska, K. Bielak, Jaroslav Kováč
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 433:105-113
Dilute nitride GaInNAs alloys grown on GaAs have become perspective materials for so called low-cost GaAs-based devices working within the optical wavelength range up to 1.6 μm. The multilayer structures of GaInNAs/GaAs multi-quantum well (MQW) samp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c15b383baf8349047d467a6476024e5d
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.10.011
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.10.011
AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
Autor:
B. Sciana, Mikołaj Badura, Miroslav Mikolášek, Damian Pucicki, Jaroslav Kováč, Wojciech Dawidowski, M. Latkowska, Damian Radziewicz, K. Bielak, Marek Tłaczała, Iwona Zborowska-Lindert
Publikováno v:
International Journal of Electronics and Telecommunications. 60:151-156
Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9514a24d42d7b5836225b27af716ea15
https://doi.org/10.2478/eletel-2014-0018
https://doi.org/10.2478/eletel-2014-0018
Autor:
M. Latkowska, Beata Ściana, Damian Radziewicz, Jarosław Serafińczuk, Jaroslav Kováč, Marek Tłaczała, Damian Pucicki, Iwona Zborowska-Lindert, R. Srnanek
Publikováno v:
Crystal Research and Technology. 47:313-320
The present work presents the influence of the growth parameters on the structural and optical properties of undoped GaAsN epilayers and triple quantum wells 3×InGaAsN/GaAs obtained by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy APMOVPE.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a0116659137a56f770d299616197b6b
https://doi.org/10.1002/crat.201100415
https://doi.org/10.1002/crat.201100415
Autor:
M. Latkowska, Mohamed Henini, Robert Kudrawiec, Mark Hopkinson, Jordi Ibáñez, Grzegorz Sęk, Jan Misiewicz
Publikováno v:
physica status solidi c. 8:1655-1658
Low temperature micro-photoluminescence (μ-PL) has been applied to study GaInNAs bulklike layers grown on GaAs substrates with various crystallographic orientations [(100), (111)A, (311)A, (411)A, and (511)A]. At low excitation conditions, the μ-PL
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0855da46d123262b187a2b76a05fd09
https://doi.org/10.1002/pssc.201000834
https://doi.org/10.1002/pssc.201000834
Autor:
M. Wełna, Robert Kudrawiec, Łukasz Janicki, Piotr Perlin, Łucja Marona, Marta Gladysiewicz, Jan Misiewicz, Dario Schiavon, Michal Baranowski, M. Latkowska
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 57:020305
In this work the effect of external electric field on the broadening of optical transitions in a triple polar InGaN/GaN quantum well is studied. Experimental investigation using photoluminescence and electroreflectance show that the reduction of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d556780fa6984e2f2e1df7f564e202e5
https://doi.org/10.7567/jjap.57.020305
https://doi.org/10.7567/jjap.57.020305
Publikováno v:
Zywnosc.Nauka.Technologia.Jakosc/Food.Science.Technology.Quality. 21
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a0100b1b57bc936da90e951c6c63a50
https://doi.org/10.15193/zntj/2015/99/021
https://doi.org/10.15193/zntj/2015/99/021
Publikováno v:
Acta Physica Polonica A. 120:899-901
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::930a1f212cbf81102c7369fb9ea548ac
https://doi.org/10.12693/aphyspola.120.899
https://doi.org/10.12693/aphyspola.120.899