Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"M. Kolter"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 49:157-162
We have examined the current-voltage characteristic of i-a-Si:H n-c-Si heterojunction Schottky solar cells in the dark and under different illumination (spectrum AM 1.5) intensities as well as the voltage- and temperature-dependent spectral response
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ff97d34eae2600bdc97554105020647
https://doi.org/10.1016/s0927-0248(97)00190-6
https://doi.org/10.1016/s0927-0248(97)00190-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. Pavlov, P. Hapke, M. Kolter, S. Frohnhoff, T. Eickhoff, Heribert Wagner, H. Munder, C. Beneking
Publikováno v:
Conference Record of the Twenty Third IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1993 (Cat. No.93CH3283-9).
Highly conductive n-type microcrystalline (/spl mu/c) silicon layers were deposited by conventional 13.56 MHz PECVD in a commercial multichamber deposition system for amorphous silicon solar cells. A conductivity up to 80 (/spl Omega/ cm)/sup -1/ was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::721c98e430407183532fbef0e0ef84ac
https://doi.org/10.1109/pvsc.1993.346983
https://doi.org/10.1109/pvsc.1993.346983
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
MRS Proceedings. 420
We have measured the admittance (conductance and capacitance) of a-Si:H/c-Si heterostructure Schottky diodes as a function of frequency, temperature and voltage in the dark and under spectral illumination (in the wavelength range between λ=500nm and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43638bccb220ae2510ef52a18e261222
https://doi.org/10.1557/proc-420-245
https://doi.org/10.1557/proc-420-245
Publikováno v:
MRS Proceedings. 420
In the present paper we show results of dark current-voltage measurements performed on p+ a- SiC:H/n c-Si heterojunction diodes at various temperatures (100–400K). We investigated the voltage derivative of these J-V curves in order to the distingui
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0125c9aec37283d90ad33badaf7f22fc
https://doi.org/10.1557/proc-420-239
https://doi.org/10.1557/proc-420-239