Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"M. Kharbouche-Harrari"'
Autor:
R. Wacquez, B. Dieny, G. Di Pendina, M. Kharbouche-Harrari, D. Aboulkassimi, J-M. Portal, Jérémy Postel-Pellerin
Publikováno v:
ISCAS
2019 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)
2019 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), May 2019, Sapporo, Japan. pp.1-5, ⟨10.1109/ISCAS.2019.8702734⟩
2019 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS)
2019 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), May 2019, Sapporo, Japan. pp.1-5, ⟨10.1109/ISCAS.2019.8702734⟩
International audience; Internet of Things (IoT) applications deployment relies on low-power circuits. Nowadays, on top of power consumption, security concern has become a real issue. LightWeight Cryptography (LWC) has been developed to answer this c
Autor:
Rana Alhalabi, G. Di Pendina, R. Wacquez, D. Aboulkassimi, Jérémy Postel-Pellerin, Guillaume Prenat, M. Kharbouche-Harrari, Ioan Lucian Prejbeanu, Etienne Nowak
Publikováno v:
XXXIII CONFERENCE ON DESIGN OF CIRCUITS AND INTEGRATED SYSTEMS (DCIS)
XXXIII CONFERENCE ON DESIGN OF CIRCUITS AND INTEGRATED SYSTEMS (DCIS), Nov 2018, Lyon, France
HAL
DCIS
XXXIII CONFERENCE ON DESIGN OF CIRCUITS AND INTEGRATED SYSTEMS (DCIS), Nov 2018, Lyon, France
HAL
DCIS
Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) is one of the leading candidates for embedded memory convergence in advanced technology nodes. It is particularly adapted to low-power applications, requiring a decent level of performance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c1b4f6377b08ff0df510c6aa87688e22
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01982788
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01982788
Autor:
J-M. Portal, D. Aboulkassimi, Ricardo C. Sousa, M. Kharbouche-Harrari, Marc Bocquet, Jérémy Postel-Pellerin, R. Delattre, G. Di Pendina, R. Wacquez
Publikováno v:
2018 IEEE 24th International Symposium on
Testing And Robust System Design (IOLTS)
Testing And Robust System Design (IOLTS), Jul 2018, Platja d'Aro, Spain. pp.243-244, ⟨10.1109/IOLTS.2018.8474088⟩
Testing And Robust System Design (IOLTS), Jul 2018, Platja d'Aro, Spain. ⟨10.1109/IOLTS.2018.8474088.⟩
IOLTS
Testing And Robust System Design (IOLTS)
Testing And Robust System Design (IOLTS), Jul 2018, Platja d'Aro, Spain. pp.243-244, ⟨10.1109/IOLTS.2018.8474088⟩
Testing And Robust System Design (IOLTS), Jul 2018, Platja d'Aro, Spain. ⟨10.1109/IOLTS.2018.8474088.⟩
IOLTS
International audience; The Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) has been identified, by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), as one of the most promising emerging technology. Different works handle
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::78a24ab54f71b9134a5105299e0050af
https://hal.science/hal-01976697
https://hal.science/hal-01976697
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.