Analysis and modelling of patterned wafer nano-topography using multiple linear regression on design GDS and silicon PWG data

Autor: B. Le-Gratiet, Victor Gredy, M. Kessar, D. Le Cunff, V. Brouzet, P. Lemaire

Publikováno v: Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXXIII
Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXXIII, Feb 2019, San Jose, France. pp.97, ⟨10.1117/12.2512398⟩

Every nanometer of residual nano-topography (with high spatial frequency fingerprint) that the scanner cannot correct during the wafer exposure directly propagates into the focus budget [1]. Process windows are getting tight with a greater and greate

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8eb4308a84e5367184a666292d5cdbfd
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03331721

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.