Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M. Katsiashvili"'
Autor:
R. Janelidze, D. Jishiashvili, Z. Shiolashvili, I. Nakhutsrishvili, E. Kutelia, V. Gobronidze, L. Mosidze, M. Katsiashvili
Publikováno v:
1996 International Semiconductor Conference. 19th Edition. CAS'96 Proceedings.
Application of amorphous, high resistivity O- and N-doped Ge films is proposed to solve some radiation hardness problems. The new type of insulating a-Ge:(O,N) films makes it possible to increase the radiation hardness of metal-insulator-semiconducto
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b94d3f0a63c1ff9f07dbc87e87cdfe62
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557417
https://doi.org/10.1109/smicnd.1996.557417
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.