Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"M. Judelewicz"'
Autor:
Karen Maex, Annelies Saerens, Roger Palmans, S. Lagrange, Iwan Vervoort, Emmanuel Richard, Sywert Brongersma, M. Judelewicz
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 50:449-457
Self-annealing of electro-chemically deposited copper films is described and studied, with a focus on the effect of process parameters like concentration of the organic additives, current density or thickness of plated copper. Sheet resistance and st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4803da70e5a88d9374c20aa9c80d6ea3
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00314-7
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(99)00314-7
Autor:
M. Judelewicz
Publikováno v:
Scripta Metallurgica et Materialia. 29:1463-1466
Several earlier investigations considered the cyclic deformation behavior of thick specimens under constant cyclic stress or strain control. The question which remains to be solved is whether experimental results obtained in this way can be applied d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::238ecd80ffa1ee76fdcd92f1288d0f6b
https://doi.org/10.1016/0956-716x(93)90337-r
https://doi.org/10.1016/0956-716x(93)90337-r
Autor:
Joshua Pelleg, M. Judelewicz
Publikováno v:
Thin Solid Films. 215:35-41
Boriding of steels can be performed by electron gun deposition of boron films and subsequent low temperature annealing. Already for annealing at 973 K for 900 s borides are formed as indicated by X-ray diffraction. The borides are Fe 2 B and FeB. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab45169814ff76b998e7fc6c09aecd67
https://doi.org/10.1016/0040-6090(92)90697-a
https://doi.org/10.1016/0040-6090(92)90697-a
Autor:
Patricia Warren, P. Letourneau, M. Judelewicz, M. Dutoit, J. C. Dupuy, M. Gailhanou, C. Dubois, J. Mi
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 67:259-261
We have produced epitaxial Si1−x−yGexCy/Si heterostructures by rapid thermal chemical vapor deposition using methylsilane SiCH6). These layers were grown in the SiH4/GeH4/SiCH6/H2 system between 550 and 600 °C at 1.5 Torr. Suitable process condi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::25114f93e19f2c95c8e83acc31cb0f35
https://doi.org/10.1063/1.114686
https://doi.org/10.1063/1.114686
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.