Zobrazeno 1 - 10
of 367
pro vyhledávání: '"M. Jhabvala"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Skalare, M. Jhabvala, S. Cheung, M. Runyan, Hyung Cho, S. Pravdo, E. Boehmer, Roger Foltz, R. Kopp, A. Feizi, F. Zhong, R. P. Dillon, L. Fischer, Christopher L. Bertagne, A. Wong, B. Cho, Augustyn Waczynski, Emily Kan, D. Markley, C. Ruiz, K. Hong, W. A. Holmes, Mark Farris, M. Ngyuen, Gregory Delo, J. Maiten, Y. Walters, A. R. Morgan, N. Ferraro
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 755:012017
We describe the design and testing of the Cryogenic Flex Cable (CFC) delivered for the Near-Infrared Spectro-Photometer (NISP) instrument [1] for the ESA Euclid mission [2, 3]. The Euclid spacecraft is scheduled for launch in the summer of 2022. It w
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eftekharzadeh Kay, S.1 (AUTHOR) sareh.eftekharzadeh@nasa.gov, Wenny, B. N.1 (AUTHOR), Thome, K. J.2 (AUTHOR), Yarahmadi, M.1 (AUTHOR), Lampkin, D. J.3 (AUTHOR), Tahersima, M. H.1 (AUTHOR), Voskanian, N.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Remote Sensing. Oct2024, Vol. 16 Issue 19, p3588. 18p.
Publikováno v:
International Journal of High Speed Electronics and Systems. 12:715-759
Quantum well infrared photodetectors (QWIPs) have many advantages in infrared detection, mainly due to the mature III-V material technology. The employment of the corrugated light-coupling scheme further improves the technology for its simplicity and
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 44:937-940
The n-channel germanium junction field effect transistor (Ge-JFET) was designed and fabricated for cryogenic applications. Ideal device current and voltage characteristics were obtained at cryogenic temperatures down to the liquid helium temperature
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 43:1239-1244
Large area polysilicon infrared (IR) sources have been designed and fabricated using micromachining technology for space flight project. Boron implant dose was varied to obtain different resistances of the polysilicon sources. It is found that there
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.