Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"M. Iwatake"'
Autor:
Y. Tanoue, T. Tsuchiya, M. Iwatake, T. Miyazaki, H. Watanabe, H. Yukawa, K. Sato, G. Hatachi, K. Shimoyama, K. Matsumoto, R. Doi, K. Tomoshige, T. Nagayasu
Publikováno v:
D101. HOST DEFENSES AND IMMUNE CELLS.
Publikováno v:
B107. COPD: FROM OMICS TO TREATMENT.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Toole, N. Arnold, L. Tierney, M. Iwatake, N. Li, James J. Demarest, James Chingwei Li, K. Cheng, O. Ogundipe, K. Brew, Victor Chan, R. Pujari, A. Gasasira
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
In this work, we investigate mushroom type phase-change material (PCM) memory cells based on Ge2Sb2Te5. We use low-angle annular dark field (LAADF) STEM imaging and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) to study changes in microstructure and ele
Autor:
N. Arnold, M. Iwatake, I. Ok, James Chingwei Li, L. Tierney, Saraf Iqbal Rashid, Nicole Saulnier, T. Gordon, G. Lian, Victor Chan, A. Cote, S. McDermott, Kevin W. Brew, James J. Demarest, A. Varghese
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
There are several variants of artificial intelligence (AI) hardware structures that are under study by the semiconductor industry for potential use in complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) designs. This paper discusses some of the failur
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Virat Mehta, Devika Sil, V. Katragadda, E. R. Evarts, J. DeBrosse, Sanjay Mehta, Richard G. Southwick, C. Long, Abraham Arceo, Dominik Metzler, Theodorus E. Standaert, A. Gasasira, C.-C. Yang, Son Nguyen, Raghuveer R. Patlolla, P. Nieves, D. Houssameddine, E. R. J. Edwards, V. Pai, Thomas M. Maffitt, Daniel C. Worledge, Michael Rizzolo, James Chingwei Li, O. van der Straten, J. Fullam, J. Morillo, Yaocheng Liu, Heng Wu, R. Johnson, Chu Isabel Cristina, J. M. Slaughter, T. Levin, S. McDermott, R. Pujari, Guohan Hu, James J. Demarest, Daniel C. Edelstein, Ashim Dutta, Yutaka Nakamura, M. Iwatake, M.R. Wordeman
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We present the first Embedded Spin-Transfer-Torque MRAM (eMRAM) technology in a 14 nm CMOS node. A novel integration supports the highest eMRAM density (0.0273 um2 cell size), optimal magnetic tunnel junction (MTJ) placement between M1-M2 for perform
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.