Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M. Isliida"'
Autor:
S. Nakazawa, M. Isliida, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe, Akitaka Yoshigoe, Kenta Watanabe, Takayoshi Shimura, Takahiro Yamada, Takuji Hosoi, Yoshiharu Anda, Tetsuzo Ueda
Publikováno v:
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD).
We have demonstrated hysteresis-free recessed gate AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterojunction field-effect transistor (MOS-HFET) by implementing AIGN gate insulator and selective AlGaN regrowth technique. High thermal stability and excellent
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::adba95c26a75cdfddd34ca6da058cc01
https://doi.org/10.23919/ispsd.2017.7988927
https://doi.org/10.23919/ispsd.2017.7988927
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.