Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"M. Illegems"'
Autor:
C. Coluzza, Giorgio Margaritondo, J. T. McKinley, M. L. Languell, C. Dupuy, A. Ueda, Prasad L. Polavarapu, Alan V. Barnes, A. Rudra, Royal G. Albridge, E. Tuncel, Norman Tolk, Denis Martin, J. F. Smith, F. Gozzo, P. A. Baudat, F. Morier‐Genoud, M. Illegems, J.L. Davidson, Xue Yang, G. C. Chen
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 341:156-161
During the past year, the broad tunability (1-10 mum) and megawatt peak intensity made available by the Vanderbilt Free-Electron Laser opened new and productive avenues to semiconductor research. This paper overviews three of these experimental areas
Autor:
Henri Benisty, D. Labilloy, R.M. De La Rue, Claude Weisbuch, Romuald Houdré, M. Illegems, U. Oesterle, Caleb Smith, C. D. W. Wilkinson, Thomas F. Krauss
Publikováno v:
Integrated Photonics Research.
One-dimensional and two-dimensional grating structures which, in their in-plane operation, approximate closely to true photonic bandgap behaviour have been fabricated using a combination of high-resolution, direct-write, electron-beam lithography (EB
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.