Zobrazeno 1 - 10
of 247
pro vyhledávání: '"M. Iliev"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:1-4
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a9fd12ac74c6f2b4702acb2611ba998
https://doi.org/10.1134/s1063785022010023
https://doi.org/10.1134/s1063785022010023
Autor:
S. V. Koveshnikov, S. B. Isamov, Kh. M. Iliev, M. K. Bakhadirkhanov, M. Kh. Majitov, M. O. Tursunov
Publikováno v:
Inorganic Materials. 57:655-662
We have studied the properties of KDB-5 silicon diffusion-doped with manganese in the temperature range 1100–1300°C. The results demonstrate that raising the diffusion temperature in the range 1175–1300°C leads to a decrease in the concentratio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e648a9f1cb1d788b4b8028ad68be7349
https://doi.org/10.1134/s0020168521070013
https://doi.org/10.1134/s0020168521070013
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. Kh. Mavlonov, S. V. Koveshnikov, M. K. Bakhadirkhanov, N. F. Zikrillaev, Sh. N. Ibodullaev, Kh. M. Iliev, S. B. Isamov
Publikováno v:
Surface Engineering and Applied Electrochemistry. 56:734-739
The paper reports that silicon with nanoclusters of manganese atoms has unique electrical, photoelectric, magnetic, and photomagnetic properties that are absent in ordinary doped semiconductor materials. The samples revealed an anomalously high impur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93ba737163f6bdc22211dd54aa112fad
https://doi.org/10.3103/s1068375520060046
https://doi.org/10.3103/s1068375520060046
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.