Zobrazeno 1 - 10
of 150
pro vyhledávání: '"M. Ieong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 47:2575-2579
Physics-based modeling of the impact ionization process in silicon was performed to determine the time constants and radial distribution of electron-hole pairs after an /spl alpha/-particle strike. The radial distribution exhibited a Gaussian shape w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a52932752a1506feef6b16c1f13461fa
https://doi.org/10.1109/23.903811
https://doi.org/10.1109/23.903811
Autor:
Z. Luo, N. Rovedo, S. Ong, B. Phoong, M. Eller, H. Utomo, C. Ryou, H. Wang, R. Stierstorfer, L. Clevenger, S. Kim, J. Toomey, D. Sciacca, J. Li, W. Wille, L. Zhao, L. Teo, T. Dyer, S. Fang, J. Yan, O. Kwon, D. Park, J. Holt, J. Han, V. Chan, J. Yuan, T. Kebede, H. Lee, S. Lee, A. Vayshenker, Z. Yang, C. Tian, H. Ng, H. Shang, M. Hierlemann, J. Ku, J. Sudijono, M. Ieong
Publikováno v:
2007 IEEE Symposium on VLSI Technology.
An aggressively scaled high performance 45 nm bulk CMOS technology targeting graphic, gaming, wireless and digital home applications is presented. Through innovative utilization and integration of advanced stressors, thermal processes and other techn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1610fb3143a3ce07d04371fbf9214a69
https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339709
https://doi.org/10.1109/vlsit.2007.4339709
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 19:234-236
A mechanism is proposed for reconciling an observed large gate-drain overlap capacitance with a small difference between polysilicon gate length and effective channel length in an advanced technology PFET. The dopant in the source-drain extension is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7d0a9dd2f5aa3e200824b8eef8971fe
https://doi.org/10.1109/55.701427
https://doi.org/10.1109/55.701427