Zobrazeno 1 - 10
of 191
pro vyhledávání: '"M. Heitzmann"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J-M. Fedeli, Daniel Pascal, S. Laval, Anatole Lupu, Laurent Vivien, M. Heitzmann, Frédéric Grillot, Eric Cassan, S. Lardenois
Publikováno v:
Optical Materials. 27:756-762
A comparative analysis of the strip and rib geometries guided wave devices (waveguides, bends, mirrors, beam splitters) is performed to realize an optical distribution to several outputs. For the strip structures, the optical losses are strongly sens
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::567629d75ca2f6eada58f75039186208
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.010
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.010
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :859-865
The current challenges of developing an etching process for the patterning of MOSFET gates with critical dimensions below 30 nm has been tackled by various independent R&D groups world-wide. This paper discusses the commonly encountered problems for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d587aadf41de4ffd8e3fcc664d5d340b
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(02)00437-9
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(02)00437-9
A 0.10 μm buried p-channel MOSFET with through the gate boron implantation and arsenic tilted pocket
Autor:
Christian Caillat, P. Mur, M. Heitzmann, B. Dal’zotto, M.E. Nier, Simon Deleonibus, S. Tedesco, G. Guegan
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 46:343-348
Designs of 0.10 μm buried p-channel devices have been studied and compared. We demonstrate that silicon p-MOSFETs with n-type polysilicon gate could achieve a good control of short channel effects. Based on new channel design optimisation using thro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0698d62dffc573821e0c2bdef334f86a
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00106-x
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00106-x