Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"M. Hötting"'
Autor:
A. Gisen, Kevin Kröninger, C. Krause, F. Wizemann, Jens Weingarten, M. Hötting, J. Lönker, M. Muschak, A. Kroner, V. Hohm, M. Wagner
Planar silicon pixel sensors with modified n$^+$-implantation shapes based on the IBL pixel sensor were designed in Dortmund. The sensors with a pixel size of $250\,\mu$m $\times$ $50\,\mu$m are produced in n$^+$-in-n sensor technology. The charge co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0184181535b4c4b60fd038fc94f8f11a
http://arxiv.org/abs/1908.10652
http://arxiv.org/abs/1908.10652
Autor:
Kevin Kröninger, A. Gisen, A.-K. Raytarowski, J. Lönker, M. Weers, V. Hohm, M. Hötting, S. Altenheiner, F. Wizemann, Jens Weingarten, M. Muschak
Publikováno v:
Journal of Instrumentation. 13:C11004-C11004
In Dortmund, planar silicon pixel sensors were designed with modified n+-implantations and produced in n+-in-n sensor technology. Baseline for these new designs was the layout of the IBL planar silicon pixel sensor with a 250 μm × 50 μm pitch. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc5845fffb1b5f45b86530b60b59cf08
https://doi.org/10.1088/1748-0221/13/11/c11004
https://doi.org/10.1088/1748-0221/13/11/c11004
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.