Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"M. Gaillardin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Daisuke Kobayashi, O. Flament, Dale McMorrow, Hirokazu Ikeda, Veronique Ferlet-Cavrois, Kazuyuki Hirose, J.R. Schwank, M. Gaillardin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 57:1811-1819
Significant floating body effects were measured in 0.2 μm fully-depleted SOI resulting in large amounts of single event transient (SET) broadening, i.e., SET duration stretching. The transient response of single transistors and the propagation of si
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Gaillardin, Marty R. Shaneyfelt, F. Essely, V.F. Cavrois, Vincent Pouget, Joseph S. Melinger, Dale McMorrow, N. Fel, P. Paillet, Daisuke Kobayashi, J.R. Schwank, Richard S. Flores, Olivier Duhamel, Paul E. Dodd
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2008, 55 (6), pp.2842-2853
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 55 (6), pp.2842-2853
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2008, 55 (6), pp.2842-2853
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 55 (6), pp.2842-2853
The propagation of single event transients (SET) is measured and modeled in SOI and bulk inverter chains. The propagation-induced pulse broadening (PIPB) effect is shown to determine the SET pulse width measured at the output of long chains of invert
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science.
Experimental results showing angular dependence for charge collection in SOI transistors under heavy ion irradiation are presented. Geant4 and Synopsys Sentaurus simulations are performed to analyze these results in terms of direct ionization effects
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.