Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"M. Fregolent"'
Autor:
C. De Santi, M. Buffolo, I. Rossetto, T. Bordignon, E. Brusaterra, A. Caria, F. Chiocchetta, D. Favero, M. Fregolent, F. Masin, N. Modolo, A. Nardo, F. Piva, F. Rampazzo, C. Sharma, N. Trivellin, G. Zhan, M. Meneghini, E. Zanoni, G. Meneghesso
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 1, Iss , Pp 100018- (2021)
Several mechanisms may contribute to the degradation of GaN transistors; in this paper we discuss the main processes that limit the lifetime of GaN power devices, with focus on the following relevant aspects: (i) the degradation/breakdown induced by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/78df0b8f79f44b6cb96de56f0a33eabf
Autor:
M. Fregolent, M. Boito, A. Marcuzzi, C. De Santi, F. Chiocchetta, E. Bahat Treidel, M. Wolf, F. Brunner, O. Hilt, J. Würfl, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5c874dc21552be25729bbbc7749628cb
https://hdl.handle.net/11577/3471061
https://hdl.handle.net/11577/3471061
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. Brusaterra, Gaudenzio Meneghesso, M. Fregolent, Fabiana Rampazzo, Nicola Modolo, Alessandro Caria, Nicola Trivellin, A. Nardo, C. De Santi, F. Piva, Enrico Zanoni, Matteo Buffolo, Isabella Rossetto, F. Masin, Matteo Meneghini, G. Zhan, F. Chiocchetta, C. Sharma, D. Favero, T. Bordignon
Publikováno v:
e-Prime - Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy. 1:100018
Several mechanisms may contribute to the degradation of GaN transistors; in this paper we discuss the main processes that limit the lifetime of GaN power devices, with focus on the following relevant aspects: (i) the degradation/breakdown induced by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c18401cd2fb8ada32c1a82806e4b0fb1
https://doi.org/10.1016/j.prime.2021.100018
https://doi.org/10.1016/j.prime.2021.100018
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Fregolent, Masataka Higashiwaki, Man Hoi Wong, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, Matteo Meneghini, Matteo Buffolo, C. De Santi
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 117:262108
In this paper, we analyze the stability of the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) damaged by nitrogen implantation, based on electrical characterization and deep-level spectroscopy. We demonstrate that N-implanted SBDs show a high
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6a311fb731d5a6de8d046800dbf4ebb3
https://doi.org/10.1063/5.0029295
https://doi.org/10.1063/5.0029295