Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"M. Fouillat"'
Autor:
F. Brunier, R. Pasternak, M. Fouillat, Sergey N. Rashkeev, Y. V. White, S. Cristoloveanu, Daniel M. Fleetwood, Bongim Jun, Ronald D. Schrimpf, Norman Tolk, N. Bresson
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 51:3231-3237
Total dose effects on silicon on insulator (SOI) UNIBOND wafers are studied via optical second harmonic generation (SHG). This technique is qualitatively compared with the pseudo-MOSFET technique for monitoring charges at the interfaces. Optical and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6cc7b8d9dd20587c9482683c3274ac0
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839140
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839140
Publikováno v:
2004 IEEE International SOI Conference (IEEE Cat. No.04CH37573).
In this article, total dose effects on thin gate oxide, partially depleted SOI transistors are presented. The thin gate oxide is minimally affected by the radiation, while trapped holes in the buried oxide suppress the second g/sub m/ peak by reducin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26370cb9737cd845c8ec6a29ea25e155
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391541
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391541
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.