Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M. Ezzadeen"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Low-Overhead Implementation of Binarized Neural Networks Employing Robust 2T2R Resistive RAM Bridges
Autor:
Francois Andrieu, J-M. Portal, M. Ezzadeen, Marc Bocquet, Damien Querlioz, Bastien Giraud, J.-P. Noel, A. Majumdar
Publikováno v:
ESSCIRC 2021-IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC)
ESSCIRC 2021-IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), Sep 2021, Grenoble, France. pp.83-86, ⟨10.1109/ESSCIRC53450.2021.9567742⟩
ESSCIRC
ESSCIRC 2021-IEEE 47th European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), Sep 2021, Grenoble, France. pp.83-86, ⟨10.1109/ESSCIRC53450.2021.9567742⟩
ESSCIRC
International audience; The energy consumption associated with data movement between memory and processing units is the main roadblock for the massive deployment of edge Artificial Intelligence. To overcome this challenge, Binarized Neural Networks (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2f464a9be5e5b0bb1f895832157d4cef
https://doi.org/10.1109/essderc53440.2021.9631381
https://doi.org/10.1109/essderc53440.2021.9631381
Autor:
F. Andrieu, M. Ezzadeen, S. Barraud, J.-P. Noel, D. Bosch, Bastien Giraud, J. Lacord, J.-M. Portal, Didier Lattard
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
The Von-Neumann bottleneck is a clear limitation for data-intensive applications, bringing in-memory computing (IMC) solutions to the fore. Since large data sets are usually stored in nonvolatile memory (NVM), various solutions have been proposed bas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5e2d310202f806274e52ffb560f28948
http://arxiv.org/abs/2012.00061
http://arxiv.org/abs/2012.00061
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Etienne Nowak, M. Ezzadeen, Francois Andrieu, N. Castellani, Bastien Giraud, Jean-Michel Portal, V. Meli, Gabriel Molas, J.-P. Noel, Sylvain Barraud, J.M. Hartmann, T. Dubreuil, Bernard Previtali, D. Bosch, M. Mouhdach
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
This paper explores a novel 3D one transistor / one RRAM (1T1R) memory cube. The proposed architecture integrates HfO 2 -based OxRAM with select junctionless (JL) transistors based on low-voltage Gate-All-Around (GAA) stacked NanoSheet (NS) technolog
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::38e1b3d85c9f61be09ca8e97cdb7cd91
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.