Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"M. E. Lin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 76:1363-1398
In the past several years, research in each of the wide‐band‐gap semiconductors, SiC, GaN, and ZnSe, has led to major advances which now make them viable for device applications. The merits of each contender for high‐temperature electronics and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb1690849764476832a150af7db8e81f
https://doi.org/10.1063/1.358463
https://doi.org/10.1063/1.358463
Publikováno v:
Physical Review B. 49:17259-17263
Field emission from localized narrow bands above the Fermi level (${\mathit{E}}_{\mathit{F}}$) are obtained in two nanometer-scale systems: gold nanoclusters deposited on W support tips and nanotips that are W nano-scale protrusions formed on W suppo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fb6a943a1982e03a95ae1fc585c24066
https://doi.org/10.1103/physrevb.49.17259
https://doi.org/10.1103/physrevb.49.17259
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 134:167-173
Single-crystalline cubic SiC Layers have been grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy (MBE) using graphite and silicon solid sources at relatively low substrate temperatures (800°C). The growth process employs initial carbonization of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b06e19bd9074263bc6fff9723c6c7be2
https://doi.org/10.1016/0022-0248(93)90123-e
https://doi.org/10.1016/0022-0248(93)90123-e