Zobrazeno 1 - 10
of 131
pro vyhledávání: '"M. Cuscunà"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Giuliana Impellizzeri, M. Cuscunà, Massimo Mastromatteo, A. La Magna, R. Milazzo, Francesco Priolo, D. De Salvador, Alberto Carnera, Guglielmo Fortunato, Enrico Napolitani, Vittorio Privitera
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 42:196-199
The diffusion of oxygen and its interactions with dopants during laser thermal annealing (LTA) in the melting regime is investigated. O is shown to penetrate from the surface and to diffuse during LTA both into germanium un- and also implanted with a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::df503e122428405e8a94b8659c079677
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.07.066
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2015.07.066
Autor:
R. Milazzo, S. Boninelli, Giuliana Impellizzeri, V. Privitera, M. Cuscunà, A. La Magna, Giuseppe Fisicaro, F. Priolo, Enrico Napolitani, Guglielmo Fortunato
Publikováno v:
physica status solidi (a). 211:122-125
The electrical activation of B+ implanted at 20 keV with a fluence of 1 × 1015 cm−2 in crystalline Ge, following a laser annealing (λ = 308 nm) with multipulses (1, 3, or 10), was studied. Incomplete activation was observed for all the irradiated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::336f0b3a4e55f9f1a9aac4b811c17416
https://doi.org/10.1002/pssa.201300308
https://doi.org/10.1002/pssa.201300308
Autor:
Antonio Valletta, Luigi Mariucci, Alessandro Pecora, Luca Maiolo, M. Cuscunà, P. Gaucci, Guglielmo Fortunato
Publikováno v:
ECS Transactions. 33:3-22
Future system-on-panel applications require further performance improvement of circuits based on polycrystalline silicon thin film transistors (TFTs). The biggest leverage in circuit performance can be obtained by reducing channel length from the typ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e422f3d7da7bff741fcc756d60b304c7
https://doi.org/10.1149/1.3481214
https://doi.org/10.1149/1.3481214
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.