Výsledky vyhledávání - "M. C. Peignon-Fernandez"

Etching of low-k materials in high density fluorocarbon plasma

Autor: D. Eon, Gilles Cartry, V. Raballand, M. C. Peignon-Fernandez, Ch. Cardinaud

Publikováno v: The European Physical Journal Applied Physics. 28:331-337

Low dielectric constant materials (low-k) are used as interlevel dielectrics in integrated circuits. This paper concerns the etching process of these materials in high density plasma with the aim to provide some insights concerning the etch mechanism

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e2c5bbd3fdeca2a06c7c89235405762
https://doi.org/10.1051/epjap:2004195

Zobrazit plný text záznamu

Etching studies of silica glasses in SF6/Ar inductively coupled plasmas: Implications for microfluidic devices fabrication

Autor: Ahmed Rhallabi, Christophe Cardinaud, L. Lallement, M.-C. Peignon-Fernandez, Charlie Gosse

Publikováno v: Journal of Vacuum Science and Technology A
Journal of Vacuum Science and Technology A, American Vacuum Society, 2010, 28 (2), pp.277. ⟨10.1116/1.3298875⟩
Journal of Vacuum Science & Technology A
Journal of Vacuum Science & Technology A, 2010, 28 (2), pp.277. ⟨10.1116/1.3298875⟩

International audience; To fabricate microlaboratories, commercially available silica glasses represent a good alternative to the expensive quartz or fused silica substrates. Therefore, the authors have here investigated the behavior of four of them-

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::173cdbcbe946b0d7efce8a5ea93ba312
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00468411

Zobrazit plný text záznamu

Global model and diagnostic of a low-pressure SF6/Ar inductively coupled plasma

Autor: L. Lallement, Luís L Alves, Christophe Cardinaud, M.-C. Peignon-Fernandez, Ahmed Rhallabi

Publikováno v: Plasma Sources Science and Technology
Plasma Sources Science and Technology, IOP Publishing, 2009, 18 (2), pp.025001. ⟨10.1088/0963-0252/18/2/025001⟩

International audience; A global model has been developed for low-pressure (3-20m Torr), radio-frequency (rf) (13.56 MHz) inductively coupled plasmas (ICPs), produced in SF6/Ar mixtures. The model is based on a set of mass balance equations for all t

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e061d2e15df2f2eb7747b58b96e515a6
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00432295

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání