Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"M. Briahtxky"'
Autor:
Y. F. Lin, M. Briahtxky, Y. C. Chou, Erh-Kun Lai, Huai-Yu Cheng, H.L. Lung, Cheng-Wei Cheng, C. H. Yang, Kuo I-Ting, A. Rav, Wei-Chih Chien, Nanbo Gong, Robert L. Bruce, Fabio Carta, C. W. Yeh, Lynne Gignac, H. Y. Ho, John M. Papalia, Wanki Kim
Publikováno v:
2019 Symposium on VLSI Technology.
We present a scaling study toward lZnm node 3D Cross-point PCM (XPCM) for Storage Class Memory (SCM) applications. The low operation current, and low metal line loading resistance are desired to avoid a wide operation voltage distribution in a cross-
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.