Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"M. Boufnichel"'
Autor:
M. Kulsreshath, A. Vital, P. Lefaucheux, C. Sinturel, T. Tillocher, M. Vayer, M. Boufnichel, R. Dussart
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 1, Iss , Pp 42-48 (2018)
Cryogenic plasma deep-etching for silicon sub-micron structures was studied with the use of modified poly(styrene) (PS) perforated masks obtained from laterally phase separated PS and poly (lactic acid) PLA blend thin films. PS mask was stained by he
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e82f07428e0f4011912d982d22f23f86
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 19:646-650
This article presents a study concerning a cryo-chuck device used in an inductively coupled plasma reactor for deep anisotropic etching of narrow trenches (2 μm wide) in silicon wafers of 5 in. in diameter. Thermal mechanisms in a mechanically clamp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a5c9e59c702151feab334770e2a2816c
https://doi.org/10.1116/1.1339014
https://doi.org/10.1116/1.1339014
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 18:1848-1852
Deep and narrow anisotropic etching of silicon structures has been investigated in a low-pressure high density plasma reactor working with a cryogenic chuck. We have previously demonstrated the feasibility of this technique on such structures. Improv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb2ae476f7fac2a6112a40f517cbbc4a
https://doi.org/10.1116/1.582434
https://doi.org/10.1116/1.582434
Publikováno v:
Physical Review E: Statistical, Physics, Plasmas, Fluids, and Related Interdisciplinary Topics, 59(2), 2302-2304. American Physical Society
Treatment of a single micrometer-size dust particle in a low-pressure radio-frequency discharge is presented. The particle is trapped in a potential well and its radius is accurately determined using angle-resolved Mie scattering. In an oxygen plasma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f2a9becade892a3ce6099d12826a1765
https://research.tue.nl/en/publications/c0df2552-c16f-461b-ba93-145b60c3651d
https://research.tue.nl/en/publications/c0df2552-c16f-461b-ba93-145b60c3651d
Publikováno v:
Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2005, 77, pp.327-336
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2005, 77, pp.327-336
The aim of this work is to demonstrate the ability of our system to etch deep high aspect ratio trenches (HART's) with a high etch rate (>[email protected]/min), high selectivity, no local bowing [M. Boufnichel, Gravure profonde cryogenique du silici
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e1167aabcb252ab9958ccd0cbdf1a0f0
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00098398
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00098398
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.