Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"M. Boucherta"'
Autor:
Ali Soltani, Brahim Benbakhti, S. J. Duffy, K. Ahmeda, Hassane Ouazzani Chahdi, M. Boucherta, Karol Kalna, Nour Eddine Bourzgui, Weidong Zhang, M. Mattalah
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩
IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩
International audience; A new parametric and cost-effective technique is developed to decouple the mechanisms behind current degradation in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) under a normal device operation: self-heating and charge
Autor:
Hassan Maher, K. Ahmeda, Brahim Benbakhti, M. Boucherta, Weidong Zhang, Karol Kalna, Ali Soltani, S. J. Duffy, Nour-Eddine Bourzgui
Publikováno v:
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.214-217, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539935⟩
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.214-217, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539935⟩
International audience; The source/drain and gate induced charge trapping within an AlGaN/GaN high electron mobility transistor is studied, under normal device operation, by excluding self-heating effects, for the first time. Through direct measureme
Autor:
Meriem Bouchilaoun, Hassan Maher, Brahim Benbakhti, Weidong Zhang, Nour-Eddine Bourzgui, M. Mattalah, S. J. Duffy, Ali Soltani, Karol Kalna, M. Boucherta
Publikováno v:
UK Semiconductors
UK Semiconductors, Jul 2017, Sheffield, United Kingdom. pp.S3040-S3043, ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
ECS Journal of Solid State Science and Technology
ECS Journal of Solid State Science and Technology, IOP Science, 2017, 6 (11), pp.S3040-S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6 (11), pp.S3040-S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
UK Semiconductors, Jul 2017, Sheffield, United Kingdom. pp.S3040-S3043, ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
ECS Journal of Solid State Science and Technology
ECS Journal of Solid State Science and Technology, IOP Science, 2017, 6 (11), pp.S3040-S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6 (11), pp.S3040-S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
International audience; An optimized fabrication process of ohmic contacts is proposed to reduce the source/drain access resistance (RC) and enhance DC/RF performance of AlGaN/GaN HEMTs with a high Al concentration. We show that source/drain RC can b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::31512c2d193266e86340cd3bf9472521
https://cronfa.swan.ac.uk/Record/cronfa35704/Download/0035704-03102017150650.pdf
https://cronfa.swan.ac.uk/Record/cronfa35704/Download/0035704-03102017150650.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics (2079-9292); Jul2024, Vol. 13 Issue 13, p2490, 13p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines; Dec2022, Vol. 13 Issue 12, p2133, 36p
Autor:
Šermukšnis, Emilis, Jorudas, Justinas, Šimukovič, Artūr, Kovalevskij, Vitalij, Kašalynas, Irmantas
Publikováno v:
Applied Sciences (2076-3417); Nov2022, Vol. 12 Issue 21, p11079, 17p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.