Zobrazeno 1 - 10
of 123
pro vyhledávání: '"M. Bouaïcha"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 34
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6ed9341261bbcd29de815b9b20c9600
https://doi.org/10.1007/s10854-022-09537-3
https://doi.org/10.1007/s10854-022-09537-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
B. Dridi Rezgui, I. Touhami, Firoz Khan, K. Ben Messaoud, C. Ben Alaya, Z. Antar, M. Bouaïcha
Publikováno v:
Optical Materials. 135:113267
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1dce6d270ad518a0f3a47064ce9a945
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2022.113267
https://doi.org/10.1016/j.optmat.2022.113267
Autor:
Samir Romdhane, M. Bouaïcha, M. Radaoui, Habib Bouchriha, B. Ben Abdelaziz, A. Ben Fredj, C. Ben Alaya
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 48:7813-7818
Silicon nanowires (SiNWs) are formed by metal-assisted chemical etching of crystalline p-type silicon, in a mixture of aqueous HF and AgNO3 chemical solutions. The magnetic field effects on the current of Ag/SiNWs/Si/Al structures have been studied.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c79863f99f6acee8f5af6d5897702870
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07615-7
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07615-7
Autor:
Mohamed Fethi Boujmil, M. Bouaïcha, Hanane Saidi, C. Ben Alaya, Brieux Durand, Jean-Louis Lazzari
Publikováno v:
Current Applied Physics
Current Applied Physics, Elsevier, 2020, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
Current Applied Physics, Elsevier, 2019, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
Current Applied Physics, 2020, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
Current Applied Physics, 2019, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
Current Applied Physics, Elsevier, 2020, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
Current Applied Physics, Elsevier, 2019, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
Current Applied Physics, 2020, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
Current Applied Physics, 2019, 20 (1), pp.29-36. ⟨10.1016/j.cap.2019.09.015⟩
International audience; P-type CIGS (CuIn 1-x Ga x Se 2) thin films are electro-deposited on a p-type c-Si substrate with a galvanostatic mode to form CIGS(p)/c-Si(p) hetero-junction. The Ga content is varied up to x = 30%. The physical properties of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::172e5378ae7e495a65591612f5c17bab
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02414308
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02414308
