Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"M. Bileci"'
Publikováno v:
2016 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM)
2016 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Dec 2016, Tokyo, Japan. ⟨10.1109/ISSM.2016.7934533⟩
2016 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Dec 2016, Tokyo, Japan. ⟨10.1109/ISSM.2016.7934533⟩
International audience; In this paper a correlation between specific inline and electrical parameters related to erase threshold voltage has been deeply investigated. This study shows the impact of the WL roughness on a NOR flash memory performances.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7ce72be497d391f29727485b731b56a2
https://doi.org/10.1109/issm.2016.7934533
https://doi.org/10.1109/issm.2016.7934533
Autor:
V. Ancarani, Salvatore Lombardo, Stella Giuffrida, D. Mello, E. Tripiciano, R. A. Puglisi, G. Ammendola, G. Bimbo, R. Portoghese, M. Bileci, O. Brafa, Cosimo Gerardi
Publikováno v:
I.E.E.E. transactions on electron devices 54 (2007): 1376–1383. doi:10.1109/TED.2007.895868
info:cnr-pdr/source/autori:Gerardi C.; Ancarani V.; Portoghese R.; Giuffrida S.; Bileci M.; Bimbo G.; Brafa O.; Mello D.; Ammendola G.; Tripiciano E.; Puglisi, R.; Lombardo S./titolo:Nanocrystal memory cell integration in a stand-alone 16-Mb NOR flash device/doi:10.1109%2FTED.2007.895868/rivista:I.E.E.E. transactions on electron devices/anno:2007/pagina_da:1376/pagina_a:1383/intervallo_pagine:1376–1383/volume:54
info:cnr-pdr/source/autori:Gerardi C.; Ancarani V.; Portoghese R.; Giuffrida S.; Bileci M.; Bimbo G.; Brafa O.; Mello D.; Ammendola G.; Tripiciano E.; Puglisi, R.; Lombardo S./titolo:Nanocrystal memory cell integration in a stand-alone 16-Mb NOR flash device/doi:10.1109%2FTED.2007.895868/rivista:I.E.E.E. transactions on electron devices/anno:2007/pagina_da:1376/pagina_a:1383/intervallo_pagine:1376–1383/volume:54
We report on the full process integration of nanocrystal (NC) memory cells in a stand-alone 16-Mb NOR Flash device. The Si NCs are deposited by chemical vapor deposition on a thin tunnel oxide, whose surface is treated with a low thermal budget proce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7ecf9543a6277ecd68b8ff0f78c5e709
https://doi.org/10.1109/ted.2007.895868
https://doi.org/10.1109/ted.2007.895868
Autor:
C. Spinella, M. Vulpio, R. A. Puglisi, M. Bileci, Cosimo Gerardi, G. Ammendola, Giuseppe Nicotra, Salvatore Lombardo
Publikováno v:
Journal of applied physics 95 (2004): 2049–2055. doi:10.1063/1.1639950
info:cnr-pdr/source/autori:Nicotra G.; Puglisi R.A.; Lombardo S.; Spinella C.; Vulpio M.; Ammendola G.; Bileci M.; Gerardi C./titolo:Nucleation kinetics of Si quantum dots on SiO2/doi:10.1063%2F1.1639950/rivista:Journal of applied physics/anno:2004/pagina_da:2049/pagina_a:2055/intervallo_pagine:2049–2055/volume:95
info:cnr-pdr/source/autori:Nicotra G.; Puglisi R.A.; Lombardo S.; Spinella C.; Vulpio M.; Ammendola G.; Bileci M.; Gerardi C./titolo:Nucleation kinetics of Si quantum dots on SiO2/doi:10.1063%2F1.1639950/rivista:Journal of applied physics/anno:2004/pagina_da:2049/pagina_a:2055/intervallo_pagine:2049–2055/volume:95
The formation of Si quantum dots on SiO2 by chemical vapor deposition of SiH4 has been investigated in the range from the submonolayer to the complete coverage with Si. In order to investigate the very early stages of the nucleation process of Si on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ad8db216b567a2f7a7fabc0cdf7edaa5
Autor:
Cosimo Gerardi, Salvatore Lombardo, G. Ammendola, M. Bileci, R. A. Puglisi, Giuseppe Nicotra, C. Spinella
Publikováno v:
Surface science 550 (2004): 119–126. doi:10.1016/j.susc.2003.12.026
info:cnr-pdr/source/autori:Puglisi, RA; Nicotra, G; Lombardo, S; Spinella, C; Ammendola, G; Bileci, M; Gerardi, C/titolo:Exclusion zone surrounding silicon nanoclusters formed by rapid thermal chemical vapour deposition on SiO2/doi:10.1016%2Fj.susc.2003.12.026/rivista:Surface science/anno:2004/pagina_da:119/pagina_a:126/intervallo_pagine:119–126/volume:550
info:cnr-pdr/source/autori:Puglisi, RA; Nicotra, G; Lombardo, S; Spinella, C; Ammendola, G; Bileci, M; Gerardi, C/titolo:Exclusion zone surrounding silicon nanoclusters formed by rapid thermal chemical vapour deposition on SiO2/doi:10.1016%2Fj.susc.2003.12.026/rivista:Surface science/anno:2004/pagina_da:119/pagina_a:126/intervallo_pagine:119–126/volume:550
We present results of an experimental investigation on the nearest-neighbour distance of silicon nanoclusters obtained by chemical vapour deposition of silane on silicon oxide substrates. Structural characterization has been performed by means of ene
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5cc571354d38c6be9c6c274820120400
Autor:
G. Renna, Giuseppe Nicotra, M. Bileci, N. Nastasi, Isodiana Crupi, Cosimo Gerardi, M. Vulpio, Salvatore Lombardo, G. Ammendola
We have realized nanocrystal memories by using silicon quantum dots embedded in silicon dioxide. The Si dots with the size of few nanometers have been obtained by chemical vapor deposition on very thin tunnel oxides and subsequently coated with a dep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::86110514f84c25d1dc74b90fe9366953
http://hdl.handle.net/10447/179622
http://hdl.handle.net/10447/179622
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.