Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"M. Benzohra"'
Publikováno v:
Journal of Engineering Science and Technology Review. 14:18-22
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf7fee3ca08070c653d658dfd7cf343d
https://doi.org/10.25103/jestr.142.03
https://doi.org/10.25103/jestr.142.03
Autor:
Abdelkader Baghdad Bey, Menaouer Bennaoum, A. Saidane, Mourad Hebali, Mohammed Berka, D. Chalabi, M. Benzohra
Publikováno v:
Journal of Electrical Engineering. 70:145-151
In this paper, the electrical performance of double gate DG-MOSFET transistors in 4H-SiC and 6H-SiC technologies have been studied by BSIM3v3 model. In which the I–V and g m–V characteristics and subthreshold operation of the DGMOSFET have been i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af081716f79dc36b74b5b24aee3ec9fa
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0021
https://doi.org/10.2478/jee-2019-0021
У роботі було вивчено електричну поведінку комірки пам'яті 6T-SRAM в 3C-SiC за 130 нм технологією CMOS. Вивчення впливу співвідношення комірок (CR),
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aef3971ea9ef76a891214bc40553ea28
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79479
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79479
Publikováno v:
Sensor Letters. 15:745-750
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::662460f3a127cd258e2c774ba42a3505
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3878
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3878
Publikováno v:
Sensor Letters. 15:328-332
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90eb6521a923cd8204b36b561e120eea
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3815
https://doi.org/10.1166/sl.2017.3815
Publikováno v:
Journal of Engineering Science and Technology Review. 10:195-198
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6853223edeb3dbd1e3f7766aa7057821
https://doi.org/10.25103/jestr.105.24
https://doi.org/10.25103/jestr.105.24
BSIM3v3 характеристика та моделювання транзисторів MOS Si1 – xGex за 130 нм субмікронною технологією
Перспективи та доцільність роботи представлені для транзисторів MOSi1 – xGex змодельованих за 130 нм субмікронною технологією. Модель BSIM3v3 в
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7701c1817089551d4b84477c27dd6520
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74448
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 12:06033-1
Сонячні елементи з кремнієвих нанодротів (SiNWs) стають важливим напрямом наукових досліджень, особливо в галузі нових технологій у фотое
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::50665880989d2f21544ae32c8aad81d5
https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06033
https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06033
Publikováno v:
Macromolecular Symposia. 341:45-50
Summary The aim of this work is to propose a reliable approach to estimate values of the relaxation time constant of polymers at the glass transition temperature. This approach consists of using a new thermo stimulated depolarisation current TSDC pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20ada19be9da0e907761aaacdd70da6d
https://doi.org/10.1002/masy.201300158
https://doi.org/10.1002/masy.201300158
Publikováno v:
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields. 21:531-549
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c5337d0c217be6658c6023c2da37a024
https://doi.org/10.1002/jnm.687
https://doi.org/10.1002/jnm.687