Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"M. Belyansky"'
Autor:
Yu Zhu, John G. Gaudiello, Juntao Li, L. Tai, J. Strane, L. Jiang, A. Grill, R. Conti, John Bruley, M. Belyansky, James J. Demarest, S. Metha
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 23:1462-1463
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4fe4974d4c643f2e340a03c3b648f70e
https://doi.org/10.1017/s1431927617007978
https://doi.org/10.1017/s1431927617007978
Publikováno v:
The Journal of Chemical Physics. 105:3250-3257
Reflection absorption infrared spectroscopy (RAIRS) and x‐ray photoelectron spectroscopy (XPS) were used to study the aggregation of aminomethylidyne (CNH2) on Pt(111). The molecule exists in three distinct environments: an isolated molecule at low
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2d00c8713d31929015a995dea549cc2
https://doi.org/10.1063/1.471840
https://doi.org/10.1063/1.471840
Autor:
P. Agnello, T. Ivers, C. Warm, R. Wise, R. Wachnik, D. Schepis, S. Sankaran, J. Norum, S. Luning, Y. Li, M. Khare, A. Grill, D. Edelstein, X. Chen, D. Brown, R. Augur, S. Wu, J. Yu, R.C. Wong, J. Werking, D. Wehella-Gamage, A. Vayshenker, H. Van Meer, R. Van Den Nieuwenhuizen, C. Tian, K. Tabakman, C.Y. Sung, T. Standaert, A. Simon, J. Sim, C. Sheraw, D. Restaino, W. Rausch, R. Pal, C. Prindle, X. Ouyang, C. Ouyang, V. Ontalus, K. Nummy, D. Nielsen, L. Nicholson, A. McKnight, N. Lustig, X. Liu, M.H. Lee, D. Lea, G. Larosa, W. Landers, B. Kim, M. Kelling, S.-J. Jeng, J. Holt, M. Hargrove, S. Grunow, S. Greco, S. Gates, A. Frye, P. Fisher, A. Domenicucci, C. Dimitrakopoulos, G. Costrini, A. Chou, J. Cheng, S. Butt, L. Black, M. Belyansky, I. Ahsan, T. Adam, A. Gabor, C.-H.J. Wu, D. Yang, M. Crouse, C. Robinson, D. Corliss, C. Fonseca, J. Johnson, M. Weybright, A. Waite, H.M. Nayfeh, K. Onishi, S. Narasimha
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
We present a 45-nm SOI CMOS technology that features: i) aggressive ground-rule (GR) scaling enabled by 1.2NA/193nm immersion lithography, ii) high-performance FET response enabled by the integration of multiple advanced strain and activation techniq
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf10344b83d49f15325667340363c388
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346879
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346879
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.