Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"M. Bamal"'
Autor:
S. K. Patnaik, P. Kumar, M. Bamal, S. Patel, M. P. Yadav, V. Kumar, A. Sinha, A. Bagga, M. Kanitkar
Publikováno v:
BMC Nephrology, Vol 19, Iss 1, Pp 1-10 (2018)
Abstract Background Nephrotic syndrome (NS) is characterized by dyslipidemia which is a well-known risk factor for atherogenesis. Atherosclerosis in childhood is mostly subclinical and endothelial dysfunction is known to precede this. Evidence for sc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f0c21d8f8f7b42619e331d276d525d70
Autor:
Pradeep Kumar, V. Kumar, Madhuri Kanitkar, S. Patel, Ankur Sinha, Arvind Bagga, M. P. Yadav, S.K. Patnaik, M. Bamal
Publikováno v:
BMC Nephrology
BMC Nephrology, Vol 19, Iss 1, Pp 1-10 (2018)
BMC Nephrology, Vol 19, Iss 1, Pp 1-10 (2018)
Background Nephrotic syndrome (NS) is characterized by dyslipidemia which is a well-known risk factor for atherogenesis. Atherosclerosis in childhood is mostly subclinical and endothelial dysfunction is known to precede this. Evidence for screening f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fb06ff49c6bc39284c7f574d395b5a8b
http://europepmc.org/articles/PMC5883594
http://europepmc.org/articles/PMC5883594
Autor:
L. Carbonell, Francesca Iacopi, Youssef Travaly, M. Bamal, M. Van Hove, Michele Stucchi, G. Beyer
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 83:2417-2421
This paper describes a simple and novel approach to calculate the line resistance of copper interconnects. The proposed methodology is simply based on a linear representation of the Cu resistivity vs. 1/S"C"u (S"C"u is the Cu cross-sectional area) in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6d8ffd0375eabe65b2c30f68b8e76562
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.10.048
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.10.048
Autor:
Michele Stucchi, Gerald Beyer, M. Van Hove, S. List, R. Cartuyvels, Anne S. Verhulst, Karen Maex, M. Bamal
Publikováno v:
2006 International Interconnect Technology Conference.
Several technological and architectural solutions have been proposed to solve the "interconnect performance bottleneck", such as the use of on-chip transmission lines, carbon-nanotube (CNT) interconnects, wafer-level package (WLP) interconnects, 3D i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ca8343ae4714c74a48811ee4c04698d0
https://doi.org/10.1109/iitc.2006.1648688
https://doi.org/10.1109/iitc.2006.1648688
Autor:
R. Rooyackers, K.G. Anil, C. Gustin, Philippe Roussel, E. Augendre, E. Grossar, Emanuele Baravelli, Serge Biesemans, M. Bamal, K. De Meyer, Malgorzata Jurczak, Abdelkarim Mercha, Abhisek Dixit
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
Spacer-defined fin-patterning results in double/quadruple fin density and hence is attractive for high performance 32-nm CMOS applications. For the first time 55-nm gate-length FinFET SRAMs with resist- and spacer-defined fins are electrically compar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5a1305c5a9c7cd15bb1c381905011e3
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346884
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346884
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.