Zobrazeno 1 - 10
of 155
pro vyhledávání: '"M. Bafleur"'
Publikováno v:
CAS 2011 Proceedings (2011 International Semiconductor Conference).
Single-Event-Burnout (SEB) is a catastrophic failure mode in power semiconductor devices triggered by cosmic ray heavy ions. Thus, it is essential to improve the robustness of these devices under this environment. In this paper a new design of planar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f9484883e466f60dabfe94f995040696
https://doi.org/10.1109/smicnd.2011.6095800
https://doi.org/10.1109/smicnd.2011.6095800
Publikováno v:
SISPAD '97. 1997 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. Technical Digest.
This paper demonstrates a methodology for systematic calibration of models in process simulators and its impact on improvement of accuracy and predictive capability of a TCAD system. A software tool for calibration with numerical optimization has bee
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4bde7bf4360560f4d2232cde62395f05
https://doi.org/10.1109/sispad.1997.621390
https://doi.org/10.1109/sispad.1997.621390
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 54:2630-2634
The role played by molecular beam epitaxial growth conditions in Ge‐doped GaAs and the introduction of deep levels inside the forbidden gap were investigated by means of photoluminescence. Firstly, a qualitative correlation was established between
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6c97911c21513e6946a7b8b30285793
https://doi.org/10.1063/1.332337
https://doi.org/10.1063/1.332337
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.