Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"M. Ain Zubaidah"'
Publikováno v:
Advanced Materials Research. 686:49-55
For this experiment, the main purpose of this experiment is to determine the electroluminescence of PSiNs samples with optimum electrolyte volume ratio of photo-electrochemical anodisation. PSiNs samples were prepared by photo-electrochemical anodisa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f88919fab3bb6c07ddaebb1ccec4453a
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.686.49
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.686.49
Autor:
Noor Asli Asnida, S.F.M. Yusop, Mahmood Mohammad Rusop, F.S. Husairi, M. Ain Zubaidah, Saifollah Abdullah
Publikováno v:
Advanced Materials Research. 667:180-185
P-type silicon wafer ( orientation; boron doping; 0.75 ~ 10 Ω cm-1) was used to prepare samples of porous silicon nanostructures (PSiNs). All samples have been prepared by using photo-electrochemical anodisation. A fixed etching time of 30 minutes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce00cb9a3d6ea1c33fc3280ba8de6284
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.667.180
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.667.180
Publikováno v:
2012 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE).
The porous silicon nanostructures was prepared by electrochemical etching of p-type silicon wafer. Porous silicon structure has good mechanical robustness, chemical stability, and compatibility with existing silicon technology. Therefore, it also has
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac19835c7067fc17ccbc12927fe31b8f
https://doi.org/10.1109/smelec.2012.6417112
https://doi.org/10.1109/smelec.2012.6417112
Publikováno v:
2012 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE).
P-type silicon wafer ( orientation; boron doping; 0.75 ∼ 10 Ωcm−1) was used to prepare samples of porous silicon nanostructures. All the samples have been prepared by using photo-electrochemical anodization. A fixed etching time of 30 minutes a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::310b3eaf2b0f350fa1b2998caf91444d
https://doi.org/10.1109/smelec.2012.6417099
https://doi.org/10.1109/smelec.2012.6417099
Publikováno v:
2012 IEEE Symposium on Business, Engineering and Industrial Applications.
P-type silicon wafer ( orientation; boron doping; 0.75 ∼ 10 Ωcm−1) was used to prepare samples of porous silicon nanostructures (PSiNs). All samples have been prepared by using photo-electrochemical anodization. A fixed etching time of 30 minut
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be4ce9dd271847ab2224eab6165616a2
https://doi.org/10.1109/isbeia.2012.6422878
https://doi.org/10.1109/isbeia.2012.6422878
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.