Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"M. Abboun Abid"'
Publikováno v:
Revista Mexicana de Física. 68
We study the electronic, optic and transport properties of both bulk materials ErN and Er0.125Ga0.875N, where crystallize in zinc-blind and wurtzite structure respectively which are materials involved form a quantum well devices.Based on density func
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf7673981d84c08058bdf48b15580fe2
https://doi.org/10.31349/revmexfis.68.031301
https://doi.org/10.31349/revmexfis.68.031301
У роботі було вивчено електричну поведінку комірки пам'яті 6T-SRAM в 3C-SiC за 130 нм технологією CMOS. Вивчення впливу співвідношення комірок (CR),
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aef3971ea9ef76a891214bc40553ea28
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79479
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79479
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 79:64-69
Design of high-performance electronic components with stable static and dynamic characteristics requires a study of self-heating on electrical properties. TLM method is used to model electrothermal behavior of PIN diodes. Simulation results show a no
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7007f3ede82e6cf2011434c23b696ead
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.07.004
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.07.004
Autor:
Jorlandio F. Felix, N. Al Saqri, M. Abboun Abid, A. Teffahi, D. Hamri, A. Djeghlouf, A. Saidane, Mohamed Henini
Publikováno v:
Radiation Physics and Chemistry. 147:13-17
Dielectric properties of As grown and irradiated Ti /Au/GaAsN Schottky diodes with 1.2%N are investigated using capacitance/conductance-voltage measurements in 90–290 K temperature range and 50–2000 kHz frequency range. Extracted parameters are i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9fdd35783046b7de9a68f74a3c952087
https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2018.01.029
https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2018.01.029
Autor:
M. Abboun Abid, Z. Rebaoui, D. Jammel, A. Saidane, Mohamed Henini, W. Bachir Bouiajra, Jorlandio F. Felix
Electrical properties of ZnO/SiC Schottky diodes with two SiC polytypes and N and P doping are investigated. Characterization was performed through IV and CVf measurements. Schottky barrier height (b), ideality factor (n), and series resistance (Rs)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d5fe8f50ae081f7cc687b64f13ac5da1
http://eprints.nottingham.ac.uk/40161/
http://eprints.nottingham.ac.uk/40161/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.