Zobrazeno 1 - 10
of 318
pro vyhledávání: '"M., Gendry."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Miska, B. D., T. J. Even, B. D., C. Platz, B. D., B. Salem, T. Benyattou, B. D., C. Bru-Chevalier, B. D., G. Guillot, B. D., G. Bremond, Kh. Moumanis, B. D., F. H. Julien, B. D., O. Marty, C. Monat, B. D., M. Gendry, B. D.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/1/2004, Vol. 95 Issue 3, p1074-1080, 7p, 2 Diagrams, 3 Charts, 4 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2014, 26 (1), pp. 431-437
Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 26 (1), pp. 431-437
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2014, 26 (1), pp. 431-437
Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 26 (1), pp. 431-437
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::86318faf87570dd5e192d9bf9d491f8c
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01848728
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01848728
Autor:
Jose Penuelas, Gilles Patriarche, Pedro Rojo-Romeo, Guillaume Saint-Girons, H. Dumont, Ludovic Largeau, K. Naji, M. Gendry
Publikováno v:
Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 102 (24), pp.243113
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 102 (24), pp.243113
It is demonstrated that the growth direction of InP nanowires grown on (001)-oriented silicon substrate strongly depends on the diameter of the gold catalyst droplets. Small droplets with diameter less than about 15 nm lead to the formation of nanowi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::680842d872576085a486ccd1f2d4c20b
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01939998
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01939998
Autor:
Guillaume Saint-Girons, P. Regreny, Yves Robach, Aziz Benamrouche, G. Hollinger, Gilles Patriarche, M. Gendry, Ludovic Largeau, J. Cheng
Publikováno v:
Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2009, 95 (1), pp.011907
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2009, 95 (1), pp.011907
The growth of GaAs islands on (001)-oriented SrTiO3 (STO) substrates by molecular beam epitaxy is studied. A competition between (111)- and (001)-oriented islands takes place. It is shown that this competition is driven by the interface energy and th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::64b47098320d1b9640ab286f0ad162bb
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01939933
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01939933
Autor:
B. Ben Bakir, E. Dupuy, P. Viktorovitch, C. Seassal, M. Gendry, Nicolas Chauvin, Andrea Fiore
Publikováno v:
2008 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2008
The optical study of single quantum dashes located inside a 2.5D photonic crystal structure is performed. The enhancement of the emission is observed for quantum dash in resonance with a slow Bloch mode.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 188:85-94
Resume La passivation de la surface du semiconducteur InSb comme celle des autres semiconducteurs III–V reste l'etape qui limite le developpement de composants MIS (metal/insulator/semiconductor) a base de ces materiaux. Nous etudions dans cet arti
Publikováno v:
Applied Surface Science. 44:309-320
Spectroscopic ellipsometry at high lateral resolution and grazing X-ray reflectometry are used as non-destructive techniques and as complement to X-ray photoelectron spectroscopy, to characterize the sulfide layers formed at the surface of InP by pla