Zobrazeno 1 - 10
of 325
pro vyhledávání: '"M Zetterling"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F Latini, H Axelson, M Fahlström, M Jemstedt, Å Alberius Munkhammar, M Zetterling, M Ryttlefors
Publikováno v:
Neuro-Oncology. 24:ii27-ii28
Background When diffuse gliomas (DG) affect the brain′s potential to reorganize functional networks, patients can exhibit seizures and/or language/cognitive impairment. The tumor-brain interaction and the individual connectomic organization cannot
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::92748b2072f6f2f51850d4794b4be7b1
https://doi.org/10.1093/neuonc/noac174.089
https://doi.org/10.1093/neuonc/noac174.089
Autor:
Inoue, J., S.-I., Kuroki, Ishikawa, S., Maeda, T., Sezaki, H., Makino, Takahiro, Ohshima, Takeshi, M., Östling, C.-M., Zetterling
Publikováno v:
Materials Science Forum. 963:837-840
Low-parasitic-capacitance 4H-SiC pMOSFETs were demonstrated for high-frequency CMOS inverters. In these pMOSFETs, device characteristics including parasitic capacitances were investigated and low parasitic capacitance was achieved by the trench gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::fbbf368c993ca762e8639d54cca5fb98
https://repo.qst.go.jp/records/76555
https://repo.qst.go.jp/records/76555
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alan Mantooth, Sajib Roy, Maksudul Hossain, Arman Ur Rashid, Alex Metreveli, Carl M. Zetterling
Publikováno v:
2019 IEEE 7th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA).
The paper presents a comprehensive investigation of the key differences between the characteristics of Si and SiC low-voltage (LV) BJT. The purpose of this investigation is to identify the special characteristics of SiC LV BJT which will require chan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d7d624f7069753511d28788f09a618dd
https://doi.org/10.1109/wipda46397.2019.8998800
https://doi.org/10.1109/wipda46397.2019.8998800
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.