Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"M Zaremba-Tymieniecki"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 31:860-862
Silicon nanowires, prepared by electroless chemical etching, are used to fabricate dual-gate field-effect transistors. The diameters of the nanowires vary from 40–300 nm, with a maximum aspect ratio of ˜3000. Titanium silicide contacts are fabrica
We investigate the influence of Schottky barrier lowering in Si nanowire field-effect transistors, using nanowires prepared by metal-assisted chemical etching. The experimental electrical characteristics of a p-channel transistor are modeled using th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::569432a6fbc0b2851e898f4c66abe565
http://hdl.handle.net/10044/1/13735
http://hdl.handle.net/10044/1/13735
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.