Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"M Swaanen"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 55:291-296
Both IMP TaN and CVD TiN barriers have been shown to be excellent materials against copper diffusion using etch-pit, bias-thermal-stress (BTS) or C(V) tests on planar structures. These results however cannot account for the real barrier thickness and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc78898c03f7696deaacd832d88d0b74
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(00)00459-7
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(00)00459-7
Autor:
M. Swaanen, S. Harzenetter, M. Gerwig, F. Rommel, J. Zondag, H. Schoel, J. Cavelaars, I. Englard, R. Poschadel, H. Sahr, K. Mast, M. Junker, T. King, R. Schreutelkamp, Liang Shi, M.J. van der Reijden, B. Hein
Publikováno v:
Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop, 2003 IEEEI/SEMI.
Increased process equipment complexity and cost related to tool down time stimulate a stronger partnership between chip manufacturer and process equipment vendor to minimize the risk to production. Applied Materials is engaged in various process equi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9bc345800362f3af61c8860cdb76ff9f
https://doi.org/10.1109/asmc.2003.1194460
https://doi.org/10.1109/asmc.2003.1194460
Publikováno v:
MRS Proceedings. 612
The permeability of 5 nm thick TaN, Ta and TiN diffusion barriers has been studied by monitoring the bulk copper concentration in silicon after isothermal and isochronal annealing experiments with a transient-ion-drift (TID) technique. The method est
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ddd4c2ee24b123be0cb96c12aa1108f
https://doi.org/10.1557/proc-612-d7.3.1
https://doi.org/10.1557/proc-612-d7.3.1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.