Zobrazeno 1 - 10
of 607
pro vyhledávání: '"M Rommel"'
Autor:
K. Grigoras, N. Yurttagul, J.-P. Kaikkonen, E. T. Mannila, P. Eskelinen, D. P. Lozano, H.-X. Li, M. Rommel, D. Shiri, N. Tiencken, S. Simbierowicz, A. Ronzani, J. Hatinen, D. Datta, V. Vesterinen, L. Gronberg, J. Biznarova, A. Fadavi Roudsari, S. Kosen, A. Osman, M. Prunnila, J. Hassel, J. Bylander, J. Govenius
Publikováno v:
IEEE Transactions on Quantum Engineering, Vol 3, Pp 1-10 (2022)
We fabricate and characterize superconducting through-silicon vias and electrodes suitable for superconducting quantum processors. We measure internal quality factors of a million for test resonators excited at single-photon levels, on chips with sup
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0169bbc5306642bca051c3d708d6a492
Autor:
M.-L. Pourteau, A. Gharbi, P. Brianceau, J.-A. Dallery, F. Laulagnet, G. Rademaker, R. Tiron, H.-J. Engelmann, J. von Borany, K.-H. Heinig, M. Rommel, L. Baier
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 9, Iss , Pp 100074- (2020)
SETs (Single-Electron-Transistors) arouse growing interest for their very low energy consumption. For future industrialization, it is crucial to show a CMOS-compatible fabrication of SETs, and a key prerequisite is the patterning of sub-20 nm Si Nano
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/293532bf485e4b0bb8f502c2bf8aa57a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Hlushko, T. Ziegelwanger, M. Reisinger, J. Todt, M. Meindlhumer, S. Beuer, M. Rommel, I. Greving, S. Flenner, J. Kopeček, J. Keckes, C. Detlefs, C. Yildirim
Publikováno v:
Acta materialia 253, 118961 (2023). doi:10.1016/j.actamat.2023.118961
Acta materialia 253, 118961 (2023). doi:10.1016/j.actamat.2023.118961
In order to obtain a fundamental understanding of the phenomena accompanying thermomechanical fatigue of Cu metallization used in power electronics, as well as the resulting d
In order to obtain a fundamental understanding of the phenomena accompanying thermomechanical fatigue of Cu metallization used in power electronics, as well as the resulting d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::498bdf61bf99f9390f02e5e1869802a3
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2023.118961
https://doi.org/10.1016/j.actamat.2023.118961
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J von Borany, H-J Engelmann, K-H Heinig, E Amat, G Hlawacek, F Klüpfel, R Hübner, W Möller, M-L Pourteau, G Rademaker, M Rommel, L Baier, P Pichler, F Perez-Murano, R Tiron
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 38:055011
This study addresses the complementary metal-oxide-semiconductor-compatible fabrication of vertically stacked Si/SiO2/Si nanopillars (NPs) with embedded Si nanodots (NDs) as key functional elements of a quantum-dot-based, gate-all-around single-elect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70cc75628207d2fa354e36ca2239d2ab
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acbe5d
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acbe5d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.