Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"M Collonge"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M Williams, P Busca, M Collonge, P Fajardo, P Fischer, T Martin, M Ritzert, M Ruat, D Schimansky
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 2380:012091
Next-generation sources of synchrotron radiation pose significant challenges for 2D pixelated X-ray detectors, such as at the ESRF Extremely Brilliant Source (EBS), the first fourth-generation high-energy synchrotron facility. In particular, scatteri
Publikováno v:
Journal of Instrumentation. 17:C01037
This work presents the first simulation results of the incremental digital integration readout, a charge-integrating front-end scheme with in-pixel digitisation and accumulation. This novel readout concept is at the core of the XIDer (X-ray Integrati
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
François Vialard, Melanie Jimenez, Mylène Valduga, Francine Mugneret, Florence Amblard, Sylvie Jaillard, Eleonore Blondeel, Philippe Vago, M Collonge Rame, F. Carré-Pigeon, Nathalie Leporrier, Marianne Till, Radu Harbuz, Aurélie Coussement, Catherine Yardin, James Lespinasse, Pascal Chambon, Géraldine Joly-Helas, Nicolas Gruchy, Elisabeth Flori, N. Le Meur, M. Herbaut-Graux, L Lebel Roy Camille, A. Vigouroux-Castera
Publikováno v:
Prenatal Diagnosis. 34:1133-1138
The objectives of this study were to report pregnancy outcomes after prenatal diagnosis of Turner syndrome (TS) and to compare and assess termination of pregnancy rates during two periods. The intervals selected were before and after 1997 when multid
Autor:
N, Gruchy, F, Vialard, E, Blondeel, N, Le Meur, G, Joly-Hélas, P, Chambon, M, Till, M, Herbaut-Graux, A, Vigouroux-Castera, A, Coussement, J, Lespinasse, F, Amblard, M, Jimenez, L, Lebel Roy Camille, F, Carré-Pigeon, E, Flori, F, Mugneret, S, Jaillard, C, Yardin, R, Harbuz, M, Collonge Rame, P, Vago, M, Valduga, N, Leporrier
Publikováno v:
Prenatal Diagnosis
Prenatal Diagnosis, Wiley, 2014, 34 (12), pp.1133-8. ⟨10.1002/pd.4439⟩
Prenatal Diagnosis, 2014, 34 (12), pp.1133-8. ⟨10.1002/pd.4439⟩
Prenatal Diagnosis, Wiley, 2014, 34 (12), pp.1133-8. ⟨10.1002/pd.4439⟩
Prenatal Diagnosis, 2014, 34 (12), pp.1133-8. ⟨10.1002/pd.4439⟩
International audience; The objectives of this study were to report pregnancy outcomes after prenatal diagnosis of Turner syndrome (TS) and to compare and assess termination of pregnancy rates during two periods. The intervals selected were before an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::a83182b4e21c9df4ca8891c15e723a2f
https://hal-univ-rennes1.archives-ouvertes.fr/hal-01116593
https://hal-univ-rennes1.archives-ouvertes.fr/hal-01116593
Autor:
M. Vinet, J.-M. Pedini, S. Becu, M. Collonge, T. Ernst, Bernard Previtali, M. Ribeiro, Gerard Ghibaudo
Publikováno v:
2009 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications.
For the first time, an analytical model of an Accumulation-Mode Suspended-Gate MOSFET is proposed. For very low power operation, adhesion energies of gate and gate oxide as low as 130µJ/m2 are required as well as sub-2.3N/m doubly clamped gate. Expe
Publikováno v:
IEEE ULIS conference, Udine, Italy
IEEE ULIS conference, Udine, Italy, Mar 2008, Udine, Italy
HAL
IEEE ULIS conference, Udine, Italy, Mar 2008, Udine, Italy
HAL
For the first time, a complete and realistic study of a nano accumulation-mode suspended-gate metal oxide semiconductor field effect transistor (AM SG- MOSFET) is proposed. Adhesion forces described as Van der Waals interactions are considered and it