Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"M Anuja"'
Autor:
Anuja E George, Aiswarya B Heera, Haritha Harikrishnan, Aravind Reghukumar, Smitha A Varghese, Reena Chandran, Priya Ashok, Sandhya S Nair, M Anuja
Publikováno v:
Indian Journal of Dermatology, Venereology and Leprology. :1-4
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8ef78219fc822c07c0302ac4fc84c3f3
https://doi.org/10.25259/ijdvl_753_2022
https://doi.org/10.25259/ijdvl_753_2022
Autor:
M. Anuja Menokey, Arvind Ajoy
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. :1-8
A closed-form model to calculate the 2-DEG charge density and surface potential in an N-polar GaN/AlGaN heterostructure is presented.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c93af3c5d11ae6345469dec1c69eba17
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3275121
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3275121
Autor:
M. Anuja Menokey, Arvind Ajoy
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:3861-3868
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c88f97de135992e32f0e0638fbcd98ef
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3175672
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3175672
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Menokey, M. Anuja, Ajoy, Arvind
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2024, Vol. 71 Issue: 1 p91-98, 8p
Autor:
M. Anuja Angel, T. Jaya
Publikováno v:
Wireless Personal Communications. 125:2101-2127
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f86af5b4cd554ff92f9a8947aef0f9c
https://doi.org/10.1007/s11277-022-09647-5
https://doi.org/10.1007/s11277-022-09647-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 116:71-78
The advantage of InGaN multiple Quantum well (MQW) Light emitting diode (LED) on a SiC substrate with compositionally step graded GaN/InAlN/GaN multi-layer barrier (MLB) is studied. The Internal quantum efficiency, Optical power, current-voltage char
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e007b324045e8b0e8ec45fc7e544066a
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.02.008
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.02.008
Publikováno v:
Journal of Display Technology. 12:1117-1121
In this paper, we designed and simulated a silicon carbide (SiC) technology, InGaN multiple quantum well (MQW) light-emitting diode (LED) using a compositionally step graded (CSG) InGaN barrier in the active region. The optical power, internal quantu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::306cfd0fc58f46b23f8c7e1cb6ff9adb
https://doi.org/10.1109/jdt.2016.2570814
https://doi.org/10.1109/jdt.2016.2570814