Zobrazeno 1 - 10
of 276
pro vyhledávání: '"Mühlberger, M."'
Autor:
Li, J., Liu, J., Huo, W., Yu, J., Liu, X., Haslinger, M.J., Muehlberger, M., Kulha, P., Huang, X.
Publikováno v:
In Materials Today Nano June 2022 18
Autor:
Mühlberger M, Janko C, Unterweger H, Friedrich RP, Friedrich B, Band J, Cebulla N, Alexiou C, Dudziak D, Lee G, Tietze R
Publikováno v:
International Journal of Nanomedicine, Vol Volume 14, Pp 8421-8432 (2019)
Marina Mühlberger,1,2 Christina Janko,1 Harald Unterweger,1 Ralf P Friedrich,1 Bernhard Friedrich,1 Julia Band,1 Nadine Cebulla,1 Christoph Alexiou,1 Diana Dudziak,3 Geoffrey Lee,2 Rainer Tietze1 1Department of Otorhinolaryngology, Head and Neck Sur
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/428db3a9be0a4be890463a6e0cfee0af
Autor:
Lugert S, Unterweger H, Mühlberger M, Janko C, Draack S, Ludwig F, Eberbeck D, Alexiou C, Friedrich RP
Publikováno v:
International Journal of Nanomedicine, Vol Volume 14, Pp 161-180 (2018)
Stephan Lugert,1,2 Harald Unterweger,1 Marina Mühlberger,1 Christina Janko,1 Sebastian Draack,3 Frank Ludwig,3 Dietmar Eberbeck,4 Christoph Alexiou,1 Ralf P Friedrich1 1Department of Otorhinolaryngology, Head and Neck Surgery, Section of Experimenta
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a5a961c54bd64ea8913775af1b0e21d4
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 96, 076805 (2006)
We report here a systematic study of the energy gaps at the odd-integer quantum Hall states $\nu=3$ and 5 under tilted magnetic (B) fields in a high quality Si two-dimensional electron system. Out of the coincidence region, the valley splitting is in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0510599
We report on the transient-enhanced shape transformation of nano-structured Si(001) surfaces upon in vacuo annealing at relatively low temperatures of 1175K - 1225K for a few minutes. We find dramatic surface mass transport concomitant with the devel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0301074
Autor:
Haslinger, M.J., Verschuuren, M.A., van Brakel, R., Danzberger, J., Bergmair, I., Mühlberger, M.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 5 March 2016 153:66-70
Autor:
Mühlberger, M., Rohn, M., Danzberger, J., Sonntag, E., Rank, A., Schumm, L., Kirchner, R., Forsich, C., Gorb, S., Einwögerer, B., Trappl, E., Heim, D., Schift, H., Bergmair, I.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 June 2015 141:140-144
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 June 2015 141:107-111
Autor:
Muehlberger, M., Boehm, M., Bergmair, I., Chouiki, M., Schoeftner, R., Kreindl, G., Kast, M., Treiblmayr, D., Glinsner, T., Miller, R., Platzgummer, E., Loeschner, H., Joechl, P., Eder-Kapl, S., Narzt, T., Lausecker, E., Fromherz, T.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering August 2011 88(8):2070-2073
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.