Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Demonstration of 1 V Reliable FeRAM Operation: V c Engineering Using Quasi-Chirality of Hf 1- x Zr x O 2 in a Nanolaminate Structure.

Autor: Jang H; Center for Single Atom-based Semiconductor Device and the Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Korea., Kashir A; Ferroelectric Memory GmbH, Charlotte-Bühler-Str. 12, 01099 Dresden, Germany., Schenk T; Ferroelectric Memory GmbH, Charlotte-Bühler-Str. 12, 01099 Dresden, Germany., Habibi M; Center for Single Atom-based Semiconductor Device and the Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Korea., Schuster M; Ferroelectric Memory GmbH, Charlotte-Bühler-Str. 12, 01099 Dresden, Germany., Oh S; Center for Single Atom-based Semiconductor Device and the Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Korea., Müeller S; Ferroelectric Memory GmbH, Charlotte-Bühler-Str. 12, 01099 Dresden, Germany., Hwang H; Center for Single Atom-based Semiconductor Device and the Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 37673, Korea.

Publikováno v: ACS applied materials & interfaces [ACS Appl Mater Interfaces] 2024 Oct 03. Date of Electronic Publication: 2024 Oct 03.